Sein tuli ette - Hiina teadlased said valmis aatomipaksuse transistori

Foto: MasterTux / Pixabay

Juba mitu aastat on elektroonikas kasutatavad uuemad ränikiibid tehnoloogiaga, mida võib nimetada tinglikult aatomite ritta sättimiseks. Kuid tinglikkus on peagi läbi, sest uusim välja töötatud transistoritehnoloogia ongi juba täpselt aatomipaksune ja õhemaks sellest minna enam ei saa.

Alates 1971. aastast, kui tuli välja esimene MOSFET tehnoloogiaga kümnemikromeetrise tehnoloogiaga ränikiip, on jõutud 2021. aastaks juba nelja nanomeetri tehnoloogiani, millega tõi oma esimesed kiibid välja Mediatek möödunud aasta lõpus. Sealt edasi on mikroskeemide veelgi mikroskoopilisemaks muutmine läinud väga keeruliseks, kuid juba on välja kuulutatud ka võimalikud 3 nm ja 2 nm tehnoloogiad.

Taiwanil asuv maailma üks suurimatest kiibitootjatest TSMC lubab 3 nm tehnoloogiaga ränikiipe hakata tootma juba sel aastal ja 2 nm peaks olema võimalik 2024. aastaks.

Grupp hiina teadlasi aga katsetas MoS2 ehk molübdeendisulfiidi üleminekuga tehnoloogiaga transistori, mille siirde paksus ongi üks aatom ehk alla ühe nanomeetri. Isegi teoorias pole enam võimalik kiipi rohkem kokku pakkida, kui just mõnda täiesti uut tehnoloogiat kasutusele ei võeta.